专利名称：集成磁阻速度和方向传感器专利类型：发明专利
发明人：C·B·约翰逊,W·T·基利安,W·A·兰布,G·R·弗朗申请号：CN200580029562.8申请日：20050707公开号：CN101010593A公开日：20070801
摘要：本文公开了一种集成电路磁阻速度和方向传感器，包括其方法和系统。本文所示和说明的传感器一般使用AMR(各向异性磁阻)电桥电路。和传统的基于霍尔效应元件的传感器相比，使用这种技术允许有增加的气隙性能。本文公开的AMR传感器能够感测用一个或多个磁极沿预期行程磁化的环形磁体或条形磁体。磁极数应根据应用设计而优化。本文公开的AMR传感器的AMR电桥设计产生最小偏移，这导致其最佳的性能。为了获得速度和方向信息，可将两个电桥电路放置为互相接近(即，电桥的准确位置和形状可根据目标和预期性能确定)。两个电桥电路的信号可以在共同位于其硅片上的集成电子器件上进行比较。电桥一般旋转45度，以减少和/或消除偏移，这就为传感器提供了大的气隙性能。
申请人：霍尼韦尔国际公司
地址：美国新泽西州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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