专利名称：晶圆级3D封装结构专利类型：实用新型专利发明人：吴政达,陈彦亨,林正忠申请号：CN201922486627.3申请日：20191231公开号：CN211088248U公开日：20200724
摘要：本实用新型提供一种晶圆级3D封装结构，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本实用新型可实现芯片的晶圆级3D封装，且在晶圆级3D封装结构中，用于塑封的第二塑封层将第一塑封层塑封在第二塑封层的内部，且第三塑封层将第二塑封层塑封在第三塑封层的内部，从而形成依次包覆的塑封层，可使晶圆级3D封装结构具有较好的尺寸收益、集成度及可靠性。
申请人：中芯长电半导体(江阴)有限公司
地址：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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