专利名称：一种RIE黑硅电池返工方法专利类型：发明专利
发明人：金井升,刘长明,叶飞,蒋方丹,金浩申请号：CN201610381665.0申请日：20160601公开号：CN106057967A公开日：20161026
摘要：本申请公开了一种RIE黑硅电池返工片的返工方法，包括：S1：用HF溶液去除RIE黑硅电池返工片表面的氮化硅膜层，形成RIE黑硅片；S2：利用HNO、HF和去离子水的混合溶液去除所述RIE黑硅片的表面硅，使其表面形成平整绒面层；S3：对所述RIE黑硅片的表面进行重新制绒，使其表面形成具有绒面结构的绒面层；S4：对所述RIE黑硅片进行扩散、镀减反射膜以及制备电极，获得RIE黑硅电池。能够有效去除RIE黑硅电池返工片的边缘反应不均匀的特征，保证光电转换效率。
申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：罗满
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