专利名称：半导体激光器和其制造方法专利类型：发明专利
发明人：长谷川义晃,横川俊哉申请号：CN200710152406.1申请日：20030306公开号：CN101188344A公开日：20080528
摘要：一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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