一种用于功率器件的沟槽栅制造方法[发明专利]

来源：世旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种用于功率器件的沟槽栅制造方法专利类型：发明专利

发明人：饶祖刚,丛培金,沈浩平,冯春阳,陆界江,赵雁,高景倩申请号：CN201110175118.4申请日：20110627公开号：CN102290343A公开日：20111221

摘要：本发明公开了一种用于功率器件的沟槽栅制造方法。本方法是将沟槽刻蚀掩蔽膜中的氮化硅薄膜或者氧化硅阻挡层保留到后续的栅氧化生长前沟槽底部局部氧化工艺完成之后，以实现沟槽栅的沟槽底部氧化硅薄膜比沟槽侧壁氧化硅薄膜厚的结构特点，该氮化硅薄膜或者氧化硅阻挡层既可起到保护功率器件场终端处的氧化硅薄膜在沟槽刻蚀后栅氧化生长前的制造过程中不被刻蚀的作用，又可防止沟槽开口处和沟槽外硅片表面在氧化过程中形成过厚的氧化硅薄膜，以至于在后续工艺中影响沟槽底部氧化硅薄膜厚度，影响多晶硅在沟槽内的无隙填充，并影响多晶硅回刻后工艺的复杂度等。本方法工艺简单、稳定，易于实现；制造出的器件具有面积小，电特性性能好等优点。

申请人：天津环鑫科技发展有限公司

地址：300384 天津市滨海新区滨海高新区华苑产业区海泰西路18号北二楼219-220室

国籍：CN

代理机构：天津中环专利商标代理有限公司

代理人：王凤英

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