专利名称：一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉专利类型：实用新型专利发明人：徐建卫
申请号：CN201721304279.8申请日：20171011公开号：CN207442181U公开日：20180601
摘要：一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉，涉及光电子领域，其中硅热沉包括一硅片，所述硅片的正、反面均抛光，硅片的正面上方由下往上依次设有第一二氧化硅层、第一氮化硅层，硅片的反面下方由上往下依次设有第二二氧化硅层、第二氮化硅层，所述第一氮化硅层上制作有金属电路，所述第二氮化硅层上制作有背面金锡层，该金属电路与背面金锡层之间由通孔电路连接，本实用新型的目的在于，提出一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉，通过改变硅热沉结构，使得本实用新型具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，工艺周期更短，特别是能满足高频激光器的需求。
申请人：上海矽安光电科技有限公司
地址：200233 上海市徐汇区桂平路680号33幢8B部位814室
国籍：CN
代理机构：上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：周高
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