专利名称：一种TiAlC MAX相薄膜的制备方法专利类型：发明专利
发明人：宿冉冉,施立群,张宏亮申请号：CN201710052758.3申请日：20170124公开号：CN106884141A公开日：20170623
摘要：本发明属于新材料技术制备领域，具体为TiAlC MAX相薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射的方式，溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，通过计算元素溅射率和测得的薄膜化学元素比调整固体靶的面积比，从而得到薄膜中理想的化学元素比；采用C的氢化物CH气体作为C元素靶来提高C元素的活性，通过控制通入的气体Ar气和CH气体的流量大小和比例，使薄膜中的最终元素比达到接近TiAlC的化学元素比。本发明通过改变基体温度，沉积时间和溅射功率等参数，可较为精确的调整制备薄膜的厚度、晶粒尺寸，从而得到厚度和晶粒尺寸可控的纯相高品质多晶薄膜。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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