专利名称：多层集成式基片和多层陶瓷元件的制造方法专利类型：发明专利发明人：酒井范夫,饭田和浩申请号：CN01110979.3申请日：20010305公开号：CN1322105A公开日：20011114
摘要：本发明提供了一种多层集成式基片,其特征在于包括以格子样式设置,以使基片的主表面分为多个块体的折断凹槽,还包含设置得跨越折断凹槽的防裂导体薄膜。防裂导体薄膜含有金属成份,它防止多层集成式基片沿折断凹槽不理想地破裂。
申请人：株式会社村田制作所
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：沈昭坤
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