专利名称：氮化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：安杖尚美,横川俊哉,长谷川义晃申请号：CN200580011771.X申请日：20051013公开号：CN1943084A公开日：20070404
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李贵亮
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容