专利名称：用于生长硅锭的方法专利类型：发明专利
发明人：黄晸河,崔日洙,金尚熹申请号：CN200810211493.8申请日：20080926公开号：CN101435107A公开日：20090520
摘要：本发明提供一种用于生长硅锭的方法。根据示范性方法，所述方法包含：将硅装填在石英坩埚中；通过加热所述石英坩埚和在所述石英坩埚中施加500高斯或更高的磁场来使所述硅熔化；以及从所述熔化的硅生长单晶硅锭，同时在所述石英坩埚中施加低于500高斯的磁场。因此，通过适当地控制所述石英坩埚的内部压力或所述磁场的施加时间和量值，有可能容易地加速所述石英坩埚的内部表面的结晶化，从而防止晶体的剥落。因此，有可能生长具有良好特性的硅锭。
申请人：硅得荣株式会社
地址：韩国庆尚北道龟尾市临洙洞274
国籍：KR
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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