专利名称：紫外光激发的白光发光二极管用单一相荧光粉专利类型：发明专利发明人：孙康,李万万,刘霁申请号：CN200710045887.6申请日：20070913公开号：CN101144014A公开日：20080319
摘要：一种发光材料技术领域的紫外光激发的白光发光二极管用单一相荧光粉，结构式为：LiAEDVO，其中：A为Ca、Sr、Ba中一种，E为Eu、Dy、Sm、Er中一种，D为Mg、Cu、Zn、Co中一种，0.01≤x≤0.1。本发明利用E离子和钒酸根离子在250nm－380nm紫外光激发下发出的两部分不同波长的光，通过调整x改变两部分光的辐射强度从而调控光谱的分布。本发明具有发光强度高、化学稳定性好等特点，制造方法简单、温和、无污染、易于操作。
申请人：上海交通大学
地址：200240 上海市闵行区东川路800号
国籍：CN
代理机构：上海交达专利事务所
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