区熔单晶硅生长炉[实用新型专利]

来源：世旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：区熔单晶硅生长炉专利类型：实用新型专利发明人：张志新,王军,安桂正申请号：CN200620117812.5申请日：20060529公开号：CN2913391Y公开日：20070620

摘要：本实用新型属于一种区熔单晶硅生长炉，采用呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上，对应两边的两导柱之间设有丝杆，两丝杆上端与对应的顶板轴接，两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接，两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接，滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接，滑座中部设有中心轴。本实用新型能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好，保证上下主轴的动态真空度，以达到理想的使用效果。

申请人：北京东方科运晶体技术有限公司

地址：100053 北京市西城区德外大街11号C座312房间

国籍：CN

代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：闫立德

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文