（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110036294.X （22）申请日 2011.02.01 （71）申请人 瑞萨电子株式会社
地址 日本神奈川县
（10）申请公布号 CN102148237A
（43）申请公布日 2011.08.10
（72）发明人 五十岚信行;成广充
（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 孙志湧
（51）Int.CI
H01L29/45; H01L29/78;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
晶相稳定结构
（57）摘要
本发明提供一种晶相稳定结构。可以通过
形成其中仅第一界面层中的一小部分Ni原子由Pt原子置换的结构，从而降低界面能量同时将NiSi和NiSi/Si界面的特性的变化抑制到最小程度来实现上述的界面结构稳定。因此，能够通过NiSi的晶相的稳定有助于元件的成品率的提高或者可靠性的提高。例如，NiSi形成在晶体管中的
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
源漏的表面层上。
法律状态
法律状态公告日
2011-08-10 2011-11-16 2014-03-12
权利要求说明书
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说明书
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