专利名称：一种高亮度半导体发光二极管芯片专利类型：实用新型专利发明人：汪延明,季辉
申请号：CN202020403332.5申请日：20200326公开号：CN211238279U公开日：20200811
摘要：本实用新型提供一种高亮度半导体发光二极管芯片，包括图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底包括上表面带有凸起图文的蓝宝石基底，所述凸起图文上设有DBR图层。本实用新型的芯片，蓝宝石衬底上设置凸起图文，利于磊晶生长时成核，提高晶体质量和抗ESD能力；凸起图文上有DBR图层，提高衬底对有源区发出的光的反射率，从而提高发光强度；通过DBR来制作图形化衬底以及采用蓝宝石基底上的凸起图文和DBR图层的结合，与传统的蓝宝石图形衬底相比，具有独特的反射结构，既能确保后续缓冲层等外延层的生长需求，又能改善外延层晶体质量和改善反射有源区发出的光，从而达到提高器件发光亮度、提高器件抗静电能力和提高抗反向电压的能力的效果。
申请人：湘能华磊光电股份有限公司
地址：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
国籍：CN
代理机构：长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
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