助 材 料 ２０１０年增刊Ⅱ（４１）卷 云母衬底上Ｗ掺杂ＶＯ２薄膜的光学和变色性能研究 罗蓉蓉，黄婉霞，何 鹏，蔡靖涵，赵 冬 （四川大学材料科学与工程学院，四川成都６１００６４） 摘 要： 在云母衬底上采用溶胶一凝胶法制备了掺钨 熔融后迅速倒入３００ｍＬ去离子水中，常温下剧烈搅拌 ２ｈ，即得深棕色掺钨Ｖ ０ 溶胶，静置备用。计算掺钨 Ｖ０２薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＦＴ—ＩＲ和色差等检测手 段，对掺杂薄膜物相、表面形貌、相变温度和热致变色 量为２．Ｏ２ 。 性能进行分析。结果表明，掺钨后其相变温度降低到 ２．２薄膜制备 室温以下，并保持良好的红外透过率随温度变化性能； 将云母片在ＨＣ１：Ｈ Ｏ ：Ｈ Ｏ体积比为１：２： 相变前后颜色发生了改变，色差最大值为５．９。 ５的溶液中煮沸２５ｍｉｎ，用去离子水冲洗干净，然后在 关键词： 二氧化钒；薄膜；变色；钨掺杂 ＮＨ。・Ｈ ｏ：Ｈ Ｏ ：Ｈ。０体积比为１：２：５的溶液 中图分类号：ＴＢ３４ ’文献标识码：Ａ 中煮沸２５ｍｉｎ，用去离子水冲洗干净，置于烘箱中８Ｏ℃ 文章编号：１００１－９７３１（２Ｏ１０）增刊１１—０３３４—０２ 烘干备用。 １ 引 言 采用旋涂法制备掺杂薄膜，将掺钨Ｖ （）５溶胶涂 覆在云母片上，在匀胶机（ＫＷ一４Ａ）上以１２００ｒ／ｍｉｎ的 ＶＯｚ在６８℃附近会发生从低温单斜结构向高温 速度旋涂后，８Ｏ。Ｃ烘干即得掺钨Ｖ２Ｏ 凝胶薄膜，不同 四方金红石结构的晶型转变，并伴随着光、电、磁等性 的旋涂次数可得不同厚度的薄膜，本实验均在正反面 能的可逆变化口］。热致变色是指物质在受热或冷却时 各旋涂１次，薄膜厚度约为３００ｎｍ。 所发生的颜色变化，ＶＯ。也是一种被人们广泛认可的 ５２０℃下，将掺杂后的凝胶薄膜置于真空气氛炉 可逆无机热致变色材料。二氧化钒的这些性能可使它 中，在Ａｒ气氛条件下退火还原１．５ｈ，得掺钨ＶＯ 薄 应用于智能窗、温度指示、防伪、光学系统防护等领 膜。 域Ｅ２，ａ］。 ２．３薄膜的性能及表征 在实际应用中，一般通过掺杂改变其相变温度，提 采用ＸＲＤ（Ｘ’Ｐｅｒｔ，Ｐｈｉｌｉｐｓ）分析薄膜晶体结构； 高使用范围。采用掺杂高价态离子（如Ｎｂ汁、Ｔａ 、 扫描电镜（ＳＥＭ Ｓ一４８００，Ｈｉｔａｃｈｉ）观察薄膜表面形貌； Ｗ 、Ｍｏ 等）可使相变温度降低到室温或更低 ］。 傅里叶变换红外光谱（Ｔｅｎｓｏｒ２７，Ｂｒｕｋｅ）及其自带的 吴卫和等采用无机溶胶一凝胶法在玻璃衬底上制得掺 智能升温控温设备测试薄膜在不同温度下的红外透过 钨ＶＯ 薄膜，其相变温度降到大约３５℃左右，在可见 率，确定其相变温度；用色差仪（ＣＲ一１Ｏ）及其智能升温 光范围内未掺杂ＶＯ 薄膜相变前后透过率变化最大 装置（ＫＥＲ ３１００—０８５）测量薄膜相变前后颜色的变化， 为２．９ ，掺ｗ 后只有２．２ ｌ５］。Ｃ Ｋｉｍ等在石英衬 控温精度为±１℃。 底上制备出的ＶＯ。薄膜，每掺杂Ｉ 的ｗ其相变温度 颜色的表征如文献所述＿７］，色差（ＡＥ ）通过计算： 降低２７．８Ｋ＿６］。Ｃ．Ｓ．Ｂｌａｃｋｍａｎ等在玻璃衬底上所制 ＡＥ 一厂（ＡＬ ） ＋（Ａａ ）。＋（Ａｂ ） ］ 备的掺钨１００ｎｍ厚的Ｖｏ 薄膜相变前后颜色从黄棕 △Ｌ 一Ｌ 一Ｌ 色转变为更加美观的银蓝色 。 Ａａ ＝ａ 一ａ 本研究采用溶胶一凝胶法在云母衬底上制备掺钨 Ａｂ 一Ｌ 一Ｌ ＶＯｚ薄膜，其相变温度接近室温，并系统研究其热致 其中，Ｌ ，ｎ ， 表示薄膜初始温度时的亮度、红 相变过程中的红外光学性能和变色性能。 （十）／绿（一）和黄（＋）／蓝（一）值，而Ｌ ，口 ，ｂ 为各 ２ 实 验 个温度下相对应的值。 ２．１ 溶胶制备 ３结果与讨论 称取０．５９ｇ钨酸铵，溶于去离子水中，加热搅拌使 ３．１ ＸＲＤ分析 其完全溶解，再加入１０ｇ Ｖ Ｏ 粉末配成悬浮液，在搅 图１是热处理后掺钨薄膜常温下的ＸＲＤ图谱，除 拌加热的条件下将悬浮液蒸干后１２０。Ｃ下干燥２ｈ。将 了云母衬底峰外，有明显的Ｖｏ 衍射峰及少量Ｖ。Ｏ 蒸于后的粉末置于马弗炉中升温至７８０℃保温０．５ｈ， 衍射峰，没有其它钒的氧化物峰。ＸＲＤ图谱中也未发 ＊基金项目：四川Ｉ省科技支撑资助项目（２００８ＧＺ０１８４） 收到初稿日期：２０１０—０５—２４ 收到修改稿日期：２０１０—０７—２０ 通讯作者：黄婉霞 作者简介：罗蓉蓉（１９８５一），女，甘肃静宁人，在读硕士，师承黄婉霞教授，从事二氧化钒热致变色性能研究。 罗蓉蓉等：云母衬底上ｗ掺杂ＶＯ。薄膜的光学和变色性能研究 现ＷＯ。，这是因为掺杂的ｗ元素以ｗ 形式替代了 ＶＯ 多晶膜中的部分Ｖ原子，形成Ｖ ｗ Ｏ 固溶 体 。 ｊ ’历 Ｃ 三 ２ｅｌ（”Ｊ 图１ 掺钨云母衬底ＶＯ 薄膜的ＸＲＤ图谱 Ｆｉｇ １ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎ ｏｆ Ｗ—ｄｏｐｅｄ ＶＯ，ｆｉｌｍ ｏｎ ｍｕｓｃｏｖｉｔｅ ３．２ ＳＥＭ表面形貌分析 图２是掺钨２．Ｏ２ 的ＶＯ。薄膜ＳＥＭ图。从图２ 中可看出，薄膜均匀致密。ＶＯ。呈致密的网状结构分 布在云母衬底上，颗粒尺寸分布均匀且表面平整，中间 有一些孔洞，可能是由于基底与Ｖ ｏ 前驱溶液问的 润湿性不好造成的［ 。 图２ 掺钨云母衬底Ｖｏ 薄膜的ＳＥＭ图片 Ｆｉｇ ２ ＳＥＭ ｉｍａｇｅ ｏｆ Ｗ—ｄｏｐｅｄ ＶＯ２ ｆｉｌｍ ｏｎ ｍｕｓｃｏｖｉｔｅ ３．３红外光学性能分析 对掺钨２．Ｏ２ 和未掺杂的ＶＯ。薄膜做红外透过 率变化检测，分别取 一４ ｍ时各温度的透过率做成 相应的透过率随温度变化的滞回曲线（如图３）。从图 ３中可观察到，未掺杂ＶＯ 薄膜红外透过率变化值为 ７７ ，相变温度为６３℃，而掺钨２．Ｏ２ 后ＶＯ 薄膜的 相变温度降低到２５℃，这是由于钨离子的掺入取代了 ＶＯ。中钒离子从而破坏了Ｖ”一Ｖ 的同级结合，使得 ＶＯ 单斜结构变得不稳定，且在Ｖ的ｄ轨道中引入了 多余电子，使ｄ带问的分裂减少，以致降低了ＶＯｚ的 相变温度 。。。 掺钨后ＶＯ。薄膜红外透过率变化最大值降低到 ５９％，这是因为掺入ｗ。。。后，在ＶＯ。晶体中形成局域 能级，降低了禁带宽度，而局域能级上的电子容易受激 发跃迁至导带成为离域电子并吸收不同波段光子的能 量，从而降低了其红外光透过率 “ 。 ３．４变色性能分析 将ＶＯ。薄膜变色性能随温度的变化用色差ＡＥ 来表征，如图４所示。未掺杂与掺钨２．Ｏ２％后ＶＯ２薄 膜色差ＡＥ 随温度的变化规律一致，升温时色差增大 且在相变点附近变化最快，降温到室温附近又基本恢 复到初始值，这一变色现象可能是由于相变前后Ｖｏ。 的晶体结构改变所引起的＿１ 。但掺杂前后两者的色 差变化值不同，未掺杂Ｖｏ 薄膜ＡＥ 最大值为１１．３， ｗ掺杂后减小为５．９，理论上说，晶型改变引起的颜色 变化滞后于温度变化，这一现象在升温时表现不是很 明显，但是由于复原过程的颜色变化滞后更加明显，故 色差随温度变化也出现了明显的滞后现象，从而形成 了如红外透过率随温度变化类似的滞回曲线，这一滞 后现象便是颜色变化的“僵化”现象口 。掺杂后变色 温度降低，“僵化”现象更加明显。 ｌ＂ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｌ＇Ｃ 图３ 云母衬底纯ＶＯ 薄膜与掺钨ＶＯ。薄膜红外透 过率随温度的变化曲线 Ｆｉｇ ３ ＩＲ ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ ｃｈａｎｇｅ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｕｎｄｏｐｅｄ ａｎｄ Ｗ—ｄｏｐｅｄ ＶＯ２ ｆｉｌｍ ｏｎ ｍｕｓｃｏ— ｖｉｔｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／℃ 图４ 云母衬底未掺杂与掺钨ＶＯｚ薄膜的色差 （ＡＥ ）随温度的变化曲线 Ｆｉｇ ４ Ｃｏｌｏｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ（△Ｅ ）ｃｈａｎｇｅ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｅｒｎ— ｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｕｎｄｏｐｅｄ ａｎｄ Ｗ—ｄｏｐｅｄ Ｖ０２ ｆｉｌｍ ｏｎ １ＴＩ１１ｓｃｏｖｉｔｅ ４ 结 论 （１） 在云母衬底上采用溶胶一凝胶法制备出的掺 钨ＶＯ：薄膜表面均匀致密，当掺杂浓度为２．Ｏ２ 时， 相变温度降至室温附近。且保持了较好的光学性能， 红外透过率变化为５９ 。 （２） 云母衬底上ＶＯ。薄膜的颜色在相变温度附 近随温度变化而变化。掺钨使热致的最大值色差 ＡＥ 减小，即使热致颜色变化减弱。掺钨２．Ｏ２ 的 ＶＯ。薄膜其色差随温度的变化呈现明显的滞后现象。 （下转第３３８页） ３３８ 勃 材 斟 ２０１０年增刊Ⅱ（４１）卷 在２０，ｏ．ｍ左右的等轴晶，主要由两个相组成。由于添 ［２］孙光飞，强文江 磁功能材料［Ｍ］．北京：化学工业出版 加了过量的Ｓｍ，其大量向晶界处移动，并在晶界处形 社，２００７．４１． 成氧化物。ＳｍＣｏ 材料主要磁性能指标随着温度的 ［３］易健宏，彭元东． ［Ｊ］．稀有金属材料工程，２００４，１２（５）： 升高都有所降低，但降低速度有所不同。其在２０～ ４６－５０． ［４］文雪萍，易健宏，彭元东，等．［Ｊ］．粉末冶金材料科学与 １５０℃范围内主要磁性能指标的温度系数均为负值，其 工程，２００５，１０（４）：２３６—２４０． 中磁能积温度系数最大，为一０．１３１３ ／℃；矫顽力温 Ｅ５］ 王艳芳．ＳｍＣｏ永磁材料微观分析研究［Ｄ］．成都：电子科 度系数最小，为一０．０２２３ ／℃。 技大学研究生院，２００７． 参考文献： ［６］Ｓｕ Ｘｕｐｉｎｇ，Ｚｈａｎｇ Ｗｅｉｊｉｎｇ，Ｌｉｕ Ｇｕｏｑｕａｎ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｊｏｕｒ— ｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，１９９８，２６７：１４９—１５３． ［１］ 田莳．材料物理性能［Ｍ］．北京：北京航空航天大学出 版社，２００７．１４３． Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ－ｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＳｍＣｏ５ ｈａｒｄ ｍａｇｎｅｔ ＳＵＮ Ｊｉａｎ—ｃｈｕｎ，ＣＨＥＮ Ｄｅｎｇ—ｍｉｎｇ，ＭＥＮＧ Ｘｉａｏ—ｍｉｎ，ＬＩ Ｊｉｎ—ｃｈｅｎｇ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ＆Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ ４０１３３１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＳｍＣｏ５ ｈａｒｄ ｍａｇｎｅｔ ｗａｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ ｂｙ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ， Ｘ—ｒａｖ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ａｎｄ ＡＭＴ～４ ｈａｒｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｅｓｔｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ．Ａｎｄ ｔｈｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＳｍＣｏｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ２０ ｔｏ １ ５０℃ｗａｓ ｔｅｓｔｅｄ ｂｙ ＡＭＴ一４ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｔｅｓｔｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ．Ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ＳｍＣｏ５ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｃｏｎｔａｉｎｓ ｔｗｏ ｍａｉｎ ｐｈａｓｅｓ ｗｉｔｈ ａ ｍｅａｎ ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ ｏｆ ２０／￣ｍ．Ａｎｄ ｔｈｅ ｓｕｒｐｌｕｓ Ｓｍ ａｎｄ ｉｔｓ ｏｘｉｄｅｓ ｇａｔｈｅｒ ｏｎ ｔｈｅ ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ．Ｔｈｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＳｍＣｏ５ ｄｅｃｒｅａｓｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｍａｉｎ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ＳｍＣｏｓ ａｒｅ ａｌｌ ｎｅｇａ— ｔｉｖｅ ｗｈｉｌｅ ｔｈｅ（Ｂ／４） ｏｆ ＳｍＣｏ５ ｂｅｔｗｅｅｎ ２Ｏ ｔｏ １ ５０℃ｇｅｔｓ ａ ｍａｘ ｖａｌｕｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＳｍＣｏ ｈａｒｄ ｍａｇｎｅｔ；ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ；ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ；ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ￥ ｛ ≮ ｓ 诤 （上接第３３５页） ２００７，０９６００７：１－７． ［７］Ｂｌａｃｋｍａｎ Ｃ Ｓ，Ｐｉｃｃｉｒｉｌｌｏ Ｃ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ， 参考文献： ２００９，５１７：４５６５． ［１３ 赵康，魏建峰，孙军，等．ＥＪ３．功能材料，２００２，３３（１）： ［８］ 张月，颜家振，黄婉霞，等．［Ｊ］．钢铁钒钛，２００８，２９（２）： ８４—８５． ５—８． Ｅ２］ 谢太斌，李金华，谢建生，等．［Ｊ］．红外技术 ，２００５，２７（５）： ［９］ Ｙａｎ Ｊｉａｚｈｅｎ，Ｚｈａｎｇ Ｙｕｅ，Ｈｕａｎｇ Ｗａｎｘｉａ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｔｈｉｎ ３９３—３９８． Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２００８，５１６：８５５４—８５５８． ［３］ 黄维刚，林华，涂铭旌，［Ｊ］．功能材料，２００６，３７（３）：４４０— ［１Ｏ］ 施剑秋，顾广新，游 波，等．［Ｊ］．复旦学报（自然科学 ４４５． 版），２００７，４６（３）：３６０—３６５． ［４］ 马红萍．［Ｊ］．人工晶体学报，２００３，３２（４）：３６６—３７０． ［１１］ 范蕾蕾，耿浩然，丁留伟．［Ｊ］．现代制造工程，２００９，５： ［５］ 吴卫和，王德平，泰建中，等．［Ｊ］．建筑材料学报，２００６，９ １２６—１２８． （５）：５４８—５５４． Ｅｌ２］ 朱传方，徐汉红．［Ｊ］．化学进展，２００１，１３（４）：２６１—２６７． ［６］ Ｋｉｍ Ｃ，Ｓｈｉｎ Ｊ Ｓ，Ｏｚａｋｉ Ｈ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ， ［１３２ 刘康强，黎先财，赖志华．［Ｊ］．江西化工，２００１，２：２５—２８． Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ａｎｄ ｃｏｌｏｒ ｃｈａｎ ｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｗ－ｄｏｐｅｄ Ｖ０２ ｆｉｌｍｓ ｏｎ ｍｕｓｃｏｖｉｔｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ＬＵｏ Ｒｏｎｇ—ｒｏｎｇ，ＨＵＡＮＧ Ｗａｎ—ｘｉａ，ＨＥ Ｐｅｎｇ，ＣＡＩ Ｊｉｎｇ—ｈａｎ，ＺＨＡ０ Ｄｏｎｇ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｉｃｈｕａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１００６５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗ—ｄｏｐｅｄ ｖａｎａｄｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍｓ ｗｅｒｅ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｑｎ ｍｕｓｃｏｖｉｔｅ ｕｓｉｎｇ ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ．ＸＲＤ， ＳＥＭ。ＦＴＩＲ ａｎｄ ｃｏｌｏｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ（ＡＥ ）ｗｅｒｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ａｎａｌｙｚｅ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ，ｏｐｔｉｃａｌ ｓｗｉｔｃ— ｈｉｎｇ ａｎｄ ｃｏｌｏｒ ｃｈａｎｇｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｗ—ｄｏｐｅｄ ｖａｎａｄｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍｓ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｕｇｇｅｓｔｅｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐｈａｓｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｗａｓ ｄｅｃｒｅｓｅｄ ｔｏ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｆｉｌｍｓ ｓｈｏｗｅｄ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｐ— ｅｒｔｙ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｓ ｗｅｌ１．Ｔｈｅ ｃｏｌｏｒ ｏｆ ｆｉｌｍｓ ｗａｓ ｃｈａｎｇｅｄ，ｔｈｅ ｍａｘｉｍｕｍ ｏｆ ｃｏｌｏｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｗａｓ ５．９ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｍｅｔａｌ—ｉｎｓｕｌａｔｏｒｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｖａｎａｄｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ；ｆｉｌｍ；ｃｏｌｏｒ ｃｈａｎｇｉｎｇ；ｄｏｐｅｄ ｔｕｎｇｓｔｅｎ
