专利名称：光刻处理方法，和由此制造的器件专利类型：发明专利
发明人：C·A·科勒,J·B·P·范肖特申请号：CN200410045155.3申请日：20040423公开号：CN1540445A公开日：20041027
摘要：用于给器件层提供图案的光刻双曝光处理方法，包括以下步骤：在第一和第二次曝光步骤前，将第一掩模图案(31)和第二掩模图案(32)扩大预选扩张距离，抗蚀剂处理基底的已曝光辐射敏感层以提供相应于所述图案的抗蚀剂已处理特征，借此每个抗蚀剂已处理特征相应其标称尺寸扩大，和通过对所述抗蚀剂已处理特征应用补充抗蚀剂处理，以超过预选收缩的距离收缩所述抗蚀剂已处理特征。
申请人：ASML荷兰有限公司
地址：荷兰维尔德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：杨松龄
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