专利名称：氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及
溅射靶
专利类型：发明专利发明人：井上一吉,柴田雅敏申请号：CN201880009025.4申请日：20180123公开号：CN110234789A公开日：20190913
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
申请人：出光兴产株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人：毛立群
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